MEMS矩阵光开关模块

工作波长

nm

O/C/L/L+ band

测试波长

nm

1310/1550/1625/1650

插入损耗

dB

@CWL Single-band

≤1.6 (M≤8, N≤8)

≤2.0 (M≤16, N≤16)

≤2.6 (M≤32, N≤32)

≤3.0 (M≤64, N≤64)

@CWL Dual-band

≤2.0 (M≤8, N≤8)

≤2.4 (M≤16, N≤16)

≤3.0 (M≤32, N≤32)

≤3.4 (M≤64, N≤64)

 波长相关损耗

dB

≤0.6

 偏振相关损耗

dB

≤0.3

 回波损耗

dB

≥45

 串扰

dB

≥50

 重复性

dB

≤±0.1

 切换时间

ms

≤15

 寿命

times

≥10⁹

 最大光功率

mW

≤500

 工作电压

V

DC 5V±10%

 工作电流

A

≤0.5 (M+N≤16)

≤0.8 (M+N≤32)

≤2.0 (M+N≤64)

≤4.0 (M+N≤128)

 工作温度

°C

-5 ~ +75

 存储温度

°C

-40 ~ +85

 封装尺寸

mm

M1: 200×180×18 ±0.2 (M+N≤32)

定制：32<M+N≤128

1.所有参数均在室温工作环境下测试；

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。

工作波长

nm

850±30, 1310±30

测试波长

nm

850/1310

插入损耗

dB

@CWL Single-band

≤1.6 (M≤12, N≤12)

≤2.0 (M≤16, N≤16)

@CWL Dual-band

≤2.0 (M≤12, N≤12)

≤2.4 (M≤16, N≤16)

 波长相关损耗

dB

≤0.6

 偏振相关损耗

dB

≤0.4

 回波损耗

dB

≥30

 串扰

dB

≥30

 重复性

dB

≤±0.1

 切换时间

ms

≤15

 寿命

times

≥10⁹

 最大光功率

mW

≤500

 工作电压

V

DC 5V±10%

 工作电流

A

≤0.5 (M+N≤16)

≤0.8 (M+N≤32)

 工作温度

°C

-5 ~ +70

 存储温度

°C

-40 ~ +85

 封装尺寸

mm

M1: 200×180×18 ±0.2 (M+N≤32)

1.所有参数均在室温工作环境下测试；

2.所有参数均不包括连接头插入损耗。

3.波长相关损耗测试范围为±20nm。